服务热线:15814783350
网站首页 > 商城公告> 三星第二代10nm FinFET工艺进入量产

三星第二代10nm FinFET工艺进入量产

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2017-12-01 16:24 | 浏览次数 : 689

 三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片(SOC)的产品。2018年初计划推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。

  相比第一代10nm工艺10LPE(Low Power Early),10LPP(Low Power Plus)工艺可将性能提高10%,功耗降低15%,同时,还可以大大减少从开发到批量生产的周转时间,提高初始制造产量。

  三星电子代工业务副总裁Ryan Lee表示:“随着10LPE到10LPP工艺的提升,性能和产能也得以提升,未来三星计划将10nm技术提升到8LPP,为客户提供更大的竞争优势。”

  三星还宣布其位于韩国华城的最新的生产线S3计划提升工艺技术,包括10nm以下产品的研发生产。目前三星代工业务有三家工厂,其中S1位于京畿道器兴, S2在美国奥斯汀,三星的7nm FinFET与EUV工艺将在S3大规模量产。


该信息来源于网络,如有侵权,请及时与我们联系

用户评论

没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]   [ 点此注册 ]
收缩